简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
正确答案:
三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。
（3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。
（1）卧式反应器可以用于硅外延生长，装置3～4片衬底 。
（2）立式反应器可以用于硅外延生长，装置6～8片衬底/次。
（3）桶式反应器可以用于硅外延生长，装置24～30片衬底/次。
答案解析:有
微信扫一扫手机做题