简述常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置。
正确答案:
三种装置不仅可以用于硅外延生长,也较广泛的用于GaAs,AsPAs,GeSi合金和SiC等其它外延层生长;还可用于氧化硅、氮化硅;多晶硅基金属等薄膜的沉积。
(1)卧式反应器可以用于硅外延生长,装置3~4片衬底 。
(2)立式反应器可以用于硅外延生长,装置6~8片衬底/次。
(3)桶式反应器可以用于硅外延生长,装置24~30片衬底/次。
(1)卧式反应器可以用于硅外延生长,装置3~4片衬底 。
(2)立式反应器可以用于硅外延生长,装置6~8片衬底/次。
(3)桶式反应器可以用于硅外延生长,装置24~30片衬底/次。
答案解析:有

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