（DS）＝3000H，（ES）＝3100H，（SS）＝2000H，（SP）＝0A200H，（S1）＝0200H，（AX）=8E07H，（BX）=1204H，（3120AH）＝2400H，（31404H）＝1800H，（31406H）＝3200H，（2A200H）＝100H，写出下列各条指令单独执行后，受到影响的寄存器或存储单元的内容（不用写标志位）。