下列关于缺陷形成漏磁通的叙述，正确的是（）

• A、缺陷离试件表面越近，形成的漏磁通越小
• B、在磁化状态、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受缺陷方向影响
• C、交流磁化时，近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时的漏磁通要小
• D、在磁场强度、缺陷类型和大小为一定时，其漏磁通密度受磁化方向影响；
• E、除A以外都对