比较半导体激光器（LD）和发光二极管（LED）的异同。
正确答案:区别：
（1）LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，LD是受激辐射复合发光结
（2）LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。
（3）LED没有阈值特性 ，光谱密度比LD高几个数量级 ， LED输出光功率小，发散角大。
相同：LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结（DH）芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间。
（1）LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，LD是受激辐射复合发光结
（2）LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。
（3）LED没有阈值特性 ，光谱密度比LD高几个数量级 ， LED输出光功率小，发散角大。
相同：LED的结构和LD相似，大多是采用双异质结（DH）芯片，把有源层夹在P型和N型限制层中间。
答案解析:有
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