多做题，通过考试没问题！
半导体芯片制造工
睦霖题库
>
通信电子计算机技能考试
>
半导体芯片制造工
叙述H
2
还原SiCl
4
外延的原理，写出化学方程式。
正确答案:
在气相外延生长过程中，首先是反应剂输运到衬底表面；接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子，硅原子按衬底晶向成核，长大成为单晶层。化学方程式如下：
答案解析:
有
进入题库查看解析
微信扫一扫手机做题
最新试题
·
抛光片的质量检测项目包括：几何参数，直径
·
干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度
·
什么是More moore定律和More
·
光学光刻中影响图像质量的两个重要参数是什
·
离子源的目的是什么？最常用的离子源是什么
·
应力分为压应力和张应力，下图的形状是由于
·
描述CVD反应中的8个步骤。
·
假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散，从
·
铝丝与铝金属化层之间用加热、加压的方法不
·
反应离子腐蚀是（）。
热门试题
·
杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂，但
·
硅片减薄腐蚀液为氢氟酸和硝酸系腐蚀液。砷
·
什么是IC可靠性？什么是老化测试？
·
描述热氧化过程。
·
化学清洗中是利用硝酸的强（）和强（）将吸
·
立式炉系统的五部分是什么？例举并简单描述
·
例举并描述金属用于硅片制造的7种要求。
·
离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参
·
采用无定形掩膜的情况下进行注入，若掩蔽膜
·
对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆
