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无损检测技术资格人员考试

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下列关于漏磁通的叙述，正确的是（）

  • A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
  • B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
  • C、表面缺陷的漏磁通密度，随离开表面的距离增大而急剧下降
  • D、用有限线圈磁化长的工件，不需要进行分段磁化
正确答案:C
答案解析:有
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