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材料科学

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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）

  • A、变大，变小
  • B、变小，变大
  • C、变小，变小
  • D、变大，变大
正确答案:A
答案解析:有
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