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无损探伤工

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由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。

  • A、 对探伤有利
  • B、 对探伤不利
  • C、 半扩散角增大
  • D、 超声波能量发散
正确答案:B
答案解析:
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