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无损探伤工
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无损探伤工
由N=D
2
/4λ可知晶片尺寸增加,近场区长度迅速增加,()。
A、 对探伤有利
B、 对探伤不利
C、 半扩散角增大
D、 超声波能量发散
正确答案:
B
答案解析:
有
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