考虑一个特殊的半导体样品，通过计算，已知少子辐射复合寿命为150μs，俄歇复合寿命为50μs，陷阱复合过程的寿命为25μs，假设没有其它的有效复合过程，那么该材料少子的净寿命是（）

• A、15μs
• B、225μs
• C、1.5μs
• D、20μs