简述NOR Flash与NAND Flash的区别。
正确答案:1、NOR Flash把整个存储区分成若干个扇区（Sector），而NAND Flash把整个存储区分成若干个块（Block），可以对以块或扇区为单位的内存单元进行擦写和再编程。
2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的，而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
3、由于擦除NOR Flash时是以64～128KB为单位的块进行的，执行一个写入／擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND Flash是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
4、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些，NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。
5、除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。
6、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线/16位总线，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据，8位总线/16位总线用来传送控制、地址和资料信息。
7、NAND Flash读和写操作采用512B的块，基于NAND的闪存可以取代硬盘或其他块设备。
8、NOR Flash容量通常在1MB～8MB之间。而NAND Flash用在8MB以上的产品当中。NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。
9、所有Flash Memory器件存在位交换现象，使用NAND Flash的时候，同时使用EDC/ECC（错误探测／错误纠正）算法，以确保可靠性。
10、NAND Flash中的坏块是随机分布的，NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
11、应用程序可以直接在NOR Flash内运行，NOR Flash的传输效率很高，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND Flash结构可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统接口。
12、在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序（MTD），NAND Flash和NOR Flash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
2、NAND Flash执行擦除操作是十分简单的，而NOR型内存则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。
3、由于擦除NOR Flash时是以64～128KB为单位的块进行的，执行一个写入／擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND Flash是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。
4、NOR Flash的读速度比NAND Flash稍快一些，NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多。NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读取。
5、除了NOR Flash的读，Flash Memory的其他操作不能像RAM那样，直接对目标地址进行总线操作。
6、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线/16位总线，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存取数据，8位总线/16位总线用来传送控制、地址和资料信息。
7、NAND Flash读和写操作采用512B的块，基于NAND的闪存可以取代硬盘或其他块设备。
8、NOR Flash容量通常在1MB～8MB之间。而NAND Flash用在8MB以上的产品当中。NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。
9、所有Flash Memory器件存在位交换现象，使用NAND Flash的时候，同时使用EDC/ECC（错误探测／错误纠正）算法，以确保可靠性。
10、NAND Flash中的坏块是随机分布的，NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。
11、应用程序可以直接在NOR Flash内运行，NOR Flash的传输效率很高，但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。NAND Flash结构可以达到高存储密度，并且写入和擦除的速度也很快，应用NAND Flash的困难在于需要特殊的系统接口。
12、在NOR Flash上运行代码不需要任何的软件支持。在NAND Flash上进行同样操作时，通常需要驱动程序（MTD），NAND Flash和NOR Flash在进行写入和擦除操作时都需要MTD。
答案解析:有
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