从存储机理、芯片结构和应用三个方面比较SRAM和DRAM。
正确答案:
SRAM的存储机理：存储电路由多个MOS管组成的双稳态触发器为核心，在不掉电的情况下可保持一个逻辑“0”或一个逻辑“1”的状态。
DRAM的存储机理：MOS管加电容器动态存储电路，其记忆信息的机理是依靠电容器存储电荷的状态，电容器有电荷时为逻辑“1”，没有电荷时为逻辑“0”。
SRAM的芯片结构：芯片内部包括由触发器构成的存储阵列、以及地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。
DRAM的芯片结构：芯片内部包括由MOS管和电容器构成的存储矩阵、读写控制和刷新控制电路、I/O缓冲器构成。其中，存储阵列为多页面结构，地址线为行地址和列地址分别传送，由行选通信号（RAS）和列选通信号（CAS）控制。
应用方面：DRAM比SRA
M集成度高、功耗低，从而成本也低，适合于做大容量存储器，主存通常采用DRAM；SRAM通常被用作高速缓冲存储器（Cache）。
DRAM的存储机理：MOS管加电容器动态存储电路，其记忆信息的机理是依靠电容器存储电荷的状态，电容器有电荷时为逻辑“1”，没有电荷时为逻辑“0”。
SRAM的芯片结构：芯片内部包括由触发器构成的存储阵列、以及地址译码器、存储控制逻辑和I/O缓冲器组成。
DRAM的芯片结构：芯片内部包括由MOS管和电容器构成的存储矩阵、读写控制和刷新控制电路、I/O缓冲器构成。其中，存储阵列为多页面结构，地址线为行地址和列地址分别传送，由行选通信号（RAS）和列选通信号（CAS）控制。
应用方面：DRAM比SRA
M集成度高、功耗低，从而成本也低，适合于做大容量存储器，主存通常采用DRAM；SRAM通常被用作高速缓冲存储器（Cache）。
答案解析:有
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