下列有关漏磁通的叙述，哪些是正确的（）

• A、内部缺陷处的漏磁通，比同样大小的表面缺陷为大
• B、缺陷的漏磁通通常同试件上的磁通密度成反比
• C、表面缺陷的漏磁通密度，随着离开表面距离的增加而急剧减弱
• D、用有限线圈磁化长的试件，不需进行分段磁化