简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。
正确答案:栅电极、源漏电极的金属材料：Al、MoW、AlNd/Mo、AlNd/MoNx、Mo/Al/Mo等采用溅射；像素电极ITO透明氧化物材料采用溅射；栅极绝缘膜SiNx、SiOx采用PECVD；半导体层a-Si：H、欧姆接触层n+a-Si材料采用PECVD；保护膜（钝化膜）SiNx材料采用PECVD。
答案解析:有
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简述TFT制作中的各种薄膜采用的成膜方法。
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