试根据5次光刻的工艺流程绘制等效电路。

正确答案:1）第一次光刻栅线，工艺流程是：溅射前清洗→AlNd/Mo溅射→涂胶→曝光→显影→显影后检查→湿法刻蚀→刻蚀后检查→去胶→O/S检查。
2）第二次光刻有源岛，工艺流程是：成膜前清洗→3层CVD（SiN_x，a-Si：H，n⁺a-Si）→3层后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→干法刻蚀→刻蚀后检查→去胶。
3）第三次光刻源漏电极，工艺流程是：溅射前清洗→MoAlMo溅射→MoAlMo后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→MoAlMo湿刻→刻蚀后检查→n⁺切断PE刻蚀→刻蚀后检查→去胶。
4）第四次钝化层及过孔，工艺流程是：P-SiN前清洗→P-SiNCVD→涂胶→曝光→显影→显影后检查→P-SiN PE干法刻蚀→刻蚀后检查→去胶。
5）第五次像素电极，工艺流程是：溅射前清洗→ITO溅射→ITO后清洗→涂胶→曝光→显影→显影后检查→ITO湿刻→刻蚀后检查→去胶→退火→阵列终检→激光修复。