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集成电路制造工艺员
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集成电路制造工艺员
在热扩散工艺中的预淀积步骤中，砷和锑的扩散温度为（）。
A、1050～1200℃
B、900～1050℃
C、1100～1250℃
D、1200～1350℃
正确答案:
A
答案解析:
有
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